磁存储芯片的原理主要基于磁性材料的特性来实现数据的存储。以下是几种磁存储芯片的原理：

**MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory)**：

MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器，它利用磁电阻效应来存储数据。

MRAM的存储单元由自由磁层、隧道栅层和固定磁层组成。

当自由磁层的磁场极化方向与固定磁层的磁场方向平行时，存储单元呈现低电阻；反之则呈现高电阻。

通过检测存储单元电阻的高低，可以判断所存数据是0还是112。

磁芯存储器：

磁芯存储器利用磁性材料制成，磁环（磁芯）带磁性或不带磁性的状态代表1或0的比特。

一长串1或0的组合代表要存储的信息3。

其他磁存储技术：

磁存储芯片的原理还可能包括其他技术，如利用磁性材料的磁化方向来存储数据的磁性随机存储器（MRAM）。

磁芯存储器是一种可能方案，通过改变磁环的磁性状态来存储信息4。

综上所述，磁存储芯片的原理主要基于磁性材料的磁化方向或磁电阻效应来实现数据的存储，具体技术可能包括MRAM和磁芯存储器等。