CMOS金属罩（CMOS metal gate）是一种CMOS工艺中用于形成MOSFET栅极的材料。与传统的晶体硅栅相比，CMOS金属罩具有更高的氧化还原电位和较小的扩散特性，因此可以提高MOSFET的开关速度、功耗和可靠性。

CMOS金属罩需要在CMOS芯片制造的过程中进行两次光刻和金属蒸发，用于形成nMOS和pMOS器件的栅极。CMOS金属罩被广泛应用于各种高端芯片，如微处理器、系统芯片、图形处理器等。